A Novel Field-Programmable Gate Array-Based Self-Sustaining Current Balancing Approach for Silicon Carbide MOSFETs

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в::	Electronics vol. 14, no. 2 (2025), p. 268
Автор:	Giannopoulos, Nektarios
Інші автори:	Ioannidis, Georgios, Vokas, Georgios, Psomopoulos, Constantinos S
Опубліковано:	MDPI AG
Предмети:	Silicon carbide Field effect transistors Electronic devices Current sharing Sensor arrays Semiconductor devices Field programmable gate arrays Transient current Heat conductivity Parallel connected Parameters Screening MOSFETs System failures Asymmetry Metal oxide semiconductors
Онлайн доступ:	Citation/Abstract Full Text + Graphics Full Text - PDF
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Будьте першим, хто залишить коментар!