Transistores de Efecto de Campo : A metal y oxido /
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | Desconegut |
| Idioma: | espanyol anglès |
| Publicat: |
Buenos Aires, Argentina :
Hispano Américana,
1973
|
| Edició: | 1a ed. |
| Matèries: | |
| Accés en línia: | Veure a l'OPAC |
| Etiquetes: |
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MARC
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| 041 | 0 | |a spa |h eng | |
| 082 | 0 | |a 621.38151 |b R532t | |
| 100 | 1 | |a Richman, Paul | |
| 245 | 0 | 0 | |a Transistores de Efecto de Campo : |b A metal y oxido / |c Por Paul Richman ; Version Castellana por Emilio N. Packmann. |
| 250 | |a 1a ed. | ||
| 260 | |a Buenos Aires, Argentina : |b Hispano Américana, |c 1973 | ||
| 300 | |a 142 p. ; |b ils. fig., graficas, ; |c 22.8 cms. | ||
| 500 | |a Titulo Original de la obra en inglés: "Characteristics and Operation Of Mos Field Effect Devices" | ||
| 504 | |a Comp. : Indice,Apéndices | ||
| 505 | 0 | |a La Teoria del funcionamiento del transistor o semiconductor de metal y oxido por efecto de campo -- Los Tres modos de funcionamiento del transistor a semiconductor de metal y oxido por efecto de campo -- El Estado de la tecnologia de semiconductores a metal y oxido -- Transistores a semiconductor de metal y oxido por efecto de campo y sus caracteristicas eléctricas -- Parametros de circuitos y aplicaciones -- Aplicaciones digitales de los transistores a semiconductores de metal y oxido. | |
| 592 | |a Centro Regional De Ayuda Técnica | ||
| 650 | 7 | |a Transistores |2 lemb | |
| 650 | 7 | |a Metal |2 lemb | |
| 650 | 7 | |a Oxido |2 lemb | |
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