Transistores de efecto de campo : a metal y óxido /

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Richman, Paul
Otros Autores: Packmann, Emilio N.
Formato: Libro
Lenguaje:español
inglés
Publicado: Buenos Aires, Argentina : Hasa, 1973
Materias:
Acceso en línea:Ver en el OPAC
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MARC

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100 1 |a Richman, Paul 
240 1 0 |a Characteristics and operation of mos field devices.  |l Español 
245 1 0 |a Transistores de efecto de campo :  |b a metal y óxido /  |c Paul Richman ; versión castellana por Emilio N. Packmann. 
260 |a Buenos Aires, Argentina :  |b Hasa,  |c 1973 
300 |a 142 p. :  |b il.;  |c 23 cm. 
500 |a Traducido de Characteristics and operation of mos field devices. 
505 0 |a Prefacio -- 1. Introdcucción -- 2. Principios físicos básicos del efecto de campo -- 3. La teoría del funcionamiento del transistor a semiconductor de metal y óxido por efecto de campo -- 4. Los tres modos de funcionamiento del transistor a semiconductor de matal a óxido por efecto de campo -- 5. El estado de la tecnología de semiconductores a metal y óxido -- 6. Transistores a semiconductores de metal y óxido por efecto de campo y sus características eléctricas parámetros de circuito y aplicaciones -- 7. Aplicaciones digitales de los transistores a semiconductores de matal y óxido Apéndices. 
650 7 |a Conductividad eléctrica.  |2 lemb 
650 7 |a Semiconductores de metal-óxido complementarios.  |2 lemb 
650 7 |a Transistores de efecto de campo metal-óxido semiconductores.  |2 lemb 
700 1 |a Packmann, Emilio N. 
942 |2 Dewey Decimal Classification  |c Books 
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952 |1 Disponible  |2 Dewey Decimal Classification  |8 Colección General  |a Biblioteca Facultad Multidisciplinaria Oriental  |b Biblioteca Facultad Multidisciplinaria Oriental  |c Acervo General  |d 2012-12-07  |i 50002851  |l 0  |o 621.381528 R532t  |p 50002851  |r 2019-05-13 00:00:00  |w 2012-12-07  |y Books 
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