Simulation and modeling of emerging devices : tunnel field-effect and fin field effect transistors /
Збережено в:
| Автори: | , , |
|---|---|
| Формат: | Електронний ресурс eКнига |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Newcastle upon Tyne, England :
Cambridge Scholars Publishing,
[2023]
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://biblioteca.ues.edu.sv/acceso/elibro/?url=https%3A%2F%2Felibro.net%2Fereader%2Fbiblioues/232834 Переглянути в OPAC |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Будьте першим, хто залишить коментар!