Weak-Light-Enhanced AlGaN/GaN UV Phototransistors with a Buried p-GaN Structure

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Detalles Bibliográficos
Publicado en:	Electronics vol. 14, no. 10 (2025), p. 2076
Autor principal:	Wang, Haiping
Otros Autores:	Zhang, Feiyu, Zhao Xuzhi, You Haifan, Ma, Zhan, Ye Jiandong, Lu, Hai, Zhang, Rong, Zheng Youdou, Chen Dunjun
Publicado:	MDPI AG
Materias:	High electron mobility transistors Conduction bands Depletion Gallium nitrides Photoelectric effect Electric fields Aluminum gallium nitrides Barrier layers Buried structures Semiconductor devices Phototransistors Electron gas Light Performance evaluation Illumination Heterojunctions
Acceso en línea:	Citation/Abstract Full Text + Graphics Full Text - PDF
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