Obálka

An Analytical Method for Determination of Threshold Voltage of Surrounded Channel Junctionless Field Effect Transistor

Uloženo v:
Vydáno v:Journal of Nano- and Electronic Physics vol. 17, no. 5 (2025)
Hlavní autor: Das, N
Další autoři: Sarma, K C D, Swargiary, R
Vydáno:
Sumy State University, Journal of Nano - and Electronic Physics
Témata:
Simulation
Threshold voltage
MOS devices
Work functions
Semiconductor devices
Transistors
Design parameters
Depletion
Field effect transistors
Matlab
Thickness
On-line přístup:Citation/Abstract
Full Text - PDF
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!