An Analytical Method for Determination of Threshold Voltage of Surrounded Channel Junctionless Field Effect Transistor

Detalles Bibliográficos

Publicado en:	Journal of Nano- and Electronic Physics vol. 17, no. 5 (2025)
Autor principal:	Das, N
Otros Autores:	Sarma, K C D, Swargiary, R
Publicado:	Sumy State University, Journal of Nano - and Electronic Physics
Materias:	Simulation Threshold voltage MOS devices Work functions Semiconductor devices Transistors Design parameters Depletion Field effect transistors Matlab Thickness
Acceso en línea:	Citation/Abstract Full Text - PDF
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