Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:	arXiv.org (Dec 18, 2024), p. n/a
المؤلف الرئيسي:	Pathak, Yash
مؤلفون آخرون:	Laxman Prasad Goswami, Bansi Dhar Malhotra, Chaujar, Rishu
منشور في:	Cornell University Library, arXiv.org
الموضوعات:	Integrated circuits Nanotechnology devices Field effect transistors Artificial neural networks Ferroelectric materials Neural networks Nanoelectronics Capacitance Visual fields Computing costs Algorithms High level languages Python Ferroelectricity Semiconductor devices Machine learning Visual effects Leakage current Parameters Thickness
الوصول للمادة أونلاين:	Citation/Abstract Full text outside of ProQuest
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

كن أول من يترك تعليقا!