Strain-Driven Dewetting and Interdiffusion in SiGe Thin Films on SOI for CMOS-Compatible Nanostructures

Сохранить в:

Библиографические подробности
Опубликовано в::	Nanomaterials vol. 15, no. 13 (2025), p. 965-979
Главный автор:	Freddi Sonia
Другие авторы:	Gherardi, Michele, Chiappini, Andrea, Adam, Arette-Hourquet, Berbezier Isabelle, Fedorov Alexey, Chrastina, Daniel, Bollani, Monica
Опубликовано:	MDPI AG
Предметы:	Silicon Nucleation Energy dispersive X ray spectroscopy Scanning electron microscopy Investigations Strain relaxation Drying Molecular beam epitaxy X-ray diffraction Silicon substrates Atomic force microscopy Raman spectroscopy Thin films Annealing Epitaxial growth Germanium Spectrum analysis Silicon germanides Interdiffusion Nanostructure Lasers Temperature Concentration gradient Etching CMOS Nanocrystals SOI (semiconductors) Quantum dots X-ray spectroscopy Microscopy Morphology
Online-ссылка:	Citation/Abstract Full Text + Graphics Full Text - PDF
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!