Soft-Error-Resilient Static Random Access Memory with Enhanced Write Ability for Radiation Environments

Detalles Bibliográficos

Publicado en:	Micromachines vol. 16, no. 11 (2025), p. 1212-1226
Autor principal:	Park Se-Yeon
Otros Autores:	Jeong, Eun Gyo, Sung-Hun, Jo
Publicado:	MDPI AG
Materias:	Static random access memory Soft errors Random access memory Satellite communications Radiation hardening Critical path Transistors Aerospace environments Radiation Radiation effects Single event upsets
Acceso en línea:	Citation/Abstract Full Text + Graphics Full Text - PDF
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