Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	arXiv.org (Dec 18, 2024), p. n/a
1. Verfasser:	Pathak, Yash
Weitere Verfasser:	Laxman Prasad Goswami, Bansi Dhar Malhotra, Chaujar, Rishu
Veröffentlicht:	Cornell University Library, arXiv.org
Schlagworte:	Integrated circuits Nanotechnology devices Field effect transistors Artificial neural networks Ferroelectric materials Neural networks Nanoelectronics Capacitance Visual fields Computing costs Algorithms High level languages Python Ferroelectricity Semiconductor devices Machine learning Visual effects Leakage current Parameters Thickness
Online-Zugang:	Citation/Abstract Full text outside of ProQuest
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