Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

Сохранить в:

Библиографические подробности
Опубликовано в::	arXiv.org (Dec 18, 2024), p. n/a
Главный автор:	Pathak, Yash
Другие авторы:	Laxman Prasad Goswami, Bansi Dhar Malhotra, Chaujar, Rishu
Опубликовано:	Cornell University Library, arXiv.org
Предметы:	Integrated circuits Nanotechnology devices Field effect transistors Artificial neural networks Ferroelectric materials Neural networks Nanoelectronics Capacitance Visual fields Computing costs Algorithms High level languages Python Ferroelectricity Semiconductor devices Machine learning Visual effects Leakage current Parameters Thickness
Online-ссылка:	Citation/Abstract Full text outside of ProQuest
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Ваш комментарий будет первым!