Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

Αποθηκεύτηκε σε:

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Εκδόθηκε σε:	arXiv.org (Dec 18, 2024), p. n/a
Κύριος συγγραφέας:	Pathak, Yash
Άλλοι συγγραφείς:	Laxman Prasad Goswami, Bansi Dhar Malhotra, Chaujar, Rishu
Έκδοση:	Cornell University Library, arXiv.org
Θέματα:	Integrated circuits Nanotechnology devices Field effect transistors Artificial neural networks Ferroelectric materials Neural networks Nanoelectronics Capacitance Visual fields Computing costs Algorithms High level languages Python Ferroelectricity Semiconductor devices Machine learning Visual effects Leakage current Parameters Thickness
Διαθέσιμο Online:	Citation/Abstract Full text outside of ProQuest
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!