Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

Tallennettuna:

Bibliografiset tiedot
Julkaisussa:	arXiv.org (Dec 18, 2024), p. n/a
Päätekijä:	Pathak, Yash
Muut tekijät:	Laxman Prasad Goswami, Bansi Dhar Malhotra, Chaujar, Rishu
Julkaistu:	Cornell University Library, arXiv.org
Aiheet:	Integrated circuits Nanotechnology devices Field effect transistors Artificial neural networks Ferroelectric materials Neural networks Nanoelectronics Capacitance Visual fields Computing costs Algorithms High level languages Python Ferroelectricity Semiconductor devices Machine learning Visual effects Leakage current Parameters Thickness
Linkit:	Citation/Abstract Full text outside of ProQuest
Tagit:	Lisää tagi Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!

Lisää ensimmäinen kommentti!