Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:	arXiv.org (Dec 18, 2024), p. n/a
מחבר ראשי:	Pathak, Yash
מחברים אחרים:	Laxman Prasad Goswami, Bansi Dhar Malhotra, Chaujar, Rishu
יצא לאור:	Cornell University Library, arXiv.org
נושאים:	Integrated circuits Nanotechnology devices Field effect transistors Artificial neural networks Ferroelectric materials Neural networks Nanoelectronics Capacitance Visual fields Computing costs Algorithms High level languages Python Ferroelectricity Semiconductor devices Machine learning Visual effects Leakage current Parameters Thickness
גישה מקוונת:	Citation/Abstract Full text outside of ProQuest
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!