Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:	arXiv.org (Dec 18, 2024), p. n/a
Tác giả chính:	Pathak, Yash
Tác giả khác:	Laxman Prasad Goswami, Bansi Dhar Malhotra, Chaujar, Rishu
Được phát hành:	Cornell University Library, arXiv.org
Những chủ đề:	Integrated circuits Nanotechnology devices Field effect transistors Artificial neural networks Ferroelectric materials Neural networks Nanoelectronics Capacitance Visual fields Computing costs Algorithms High level languages Python Ferroelectricity Semiconductor devices Machine learning Visual effects Leakage current Parameters Thickness
Truy cập trực tuyến:	Citation/Abstract Full text outside of ProQuest
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!