Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

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Publié dans:	arXiv.org (Dec 18, 2024), p. n/a
Auteur principal:	Pathak, Yash
Autres auteurs:	Laxman Prasad Goswami, Bansi Dhar Malhotra, Chaujar, Rishu
Publié:	Cornell University Library, arXiv.org
Sujets:	Integrated circuits Nanotechnology devices Field effect transistors Artificial neural networks Ferroelectric materials Neural networks Nanoelectronics Capacitance Visual fields Computing costs Algorithms High level languages Python Ferroelectricity Semiconductor devices Machine learning Visual effects Leakage current Parameters Thickness
Accès en ligne:	Citation/Abstract Full text outside of ProQuest
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